Транзистор N-MOSFET Infineon IRL60HS118, 60 В, 13 А, PQFN2X2, комплект 30 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRL60HS118 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 60 В и ток 13 А. Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 5 в корпусе PQFN2X2 для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
• Напряжение сток-исток: 60 В
• Ток стока: 13 А
• Рассеиваемая мощность: 5,8 Вт
• Корпус: PQFN2X2, монтаж SMD
• Технология: OptiMOS™ 5
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток 60 В и выдерживает напряжение затвор-исток ±20 В. Ток стока составляет 13 А, а рассеиваемая мощность — 5,8 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 17 мОм, что снижает потери энергии при открытом канале. Заряд затвора 5,3 нКл определяет скорость переключения транзистора.

Корпус и монтаж

Компонент размещен в корпусе PQFN2X2, что обеспечивает компактность и эффективный отвод тепла. Монтаж выполняется методом SMD (поверхностный монтаж), что подходит для автоматизированного производства печатных плат. Транзистор изготовлен по технологии OptiMOS™ 5, характеризующейся низким сопротивлением в открытом состоянии.

Сопротивление в открытом состоянии и заряд затвора

Товар поставляется набором из 30 транзисторов, что удобно для серийного производства или ремонта оборудования. Символ производителя IRL60HS118 соответствует модели Infineon Technologies.