Транзистор N-MOSFET Infineon IRFZ46NLPBF, 55 В, 53 А, TO262, набор 20 шт.
2 310 ₴
- В наличии
- Код: TM035871
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFZ46NLPBF, 55 В, 53 А, TO262, набор 20 шт.В наличии
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 20 транзисторов N-MOSFET Infineon IRFZ46NLPBF в корпусе TO262. Предназначены для монтажа на плату с выводами (THT). Ключевые параметры: напряжение сток-исток 55 В, ток стока 53 А, рассеиваемая мощность 120 Вт.
- Набор из 20 транзисторов N-MOSFET
- Корпус TO262 для монтажа THT
- Напряжение сток-исток 55 В
- Ток стока 53 А
- Рассеиваемая мощность 120 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости 16,5 мОм
Электрические характеристики
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 55 В, а напряжение на затворе — ±20 В. Ток стока составляет 53 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 16,5 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO262. Монтаж выполняется методом THT (through-hole technology), то есть выводы проходят сквозь отверстия в плате. Используется технология изготовления HEXFET®. Заряд затвора составляет 48 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 120 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимально допустимый ток стока | 53 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 16.5 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO262 |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 310 ₴