Транзистор N-MOSFET Infineon IRFU4615PBF — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 33 А при напряжении 150 В. Товар поставляется набором из 10 единиц в корпусе IPAK для монтажа в отверстия (THT).
- Набор из 10 транзисторов
- Напряжение сток-исток 150 В
- Ток стока 33 А
- Сопротивление в открытом состоянии 42 мОм
- Рассеиваемая мощность 144 Вт
- Корпус IPAK, монтаж THT
Технические параметры
Прибор работает с напряжением сток-исток 150 В и выдерживает постоянный ток стока 33 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 42 мОм. Общая рассеиваемая мощность равна 144 Вт, а заряд затвора — 26 нКл.
Особенности конструкции
Транзистор изготовлен по технологии HEXFET®. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Монтаж выполняется в отверстия (THT), корпус типа IPAK.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 144 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 150 В |
| Максимально допустимый ток стока | 33 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 42 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | IPAK |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 130 ₴

