Транзистор N-MOSFET Infineon IRFSL7437PBF, 40 В, 180 А, TO262, набор 10 шт.

Набор из 10 мощных N-MOSFET транзисторов Infineon IRFSL7437PBF в корпусе TO262. Компоненты предназначены для коммутации высоких токов в силовых электронных схемах и импульсных источниках питания. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала они обеспечивают эффективную работу с минимальными потерями энергии.

• Ток стока 180 А и импульсный ток 1 кА
• Низкое сопротивление открытого канала 1,8 мОм
• Рассеиваемая мощность 230 Вт
• Корпус TO262 для монтажа через отверстия (THT)
• Напряжение сток-исток 40 В
• Набор из 10 транзисторов

Мощность и токовые характеристики

Транзисторы выдерживают постоянный ток стока до 180 А и импульсный ток до 1 кА при напряжении сток-исток 40 В. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 230 Вт, что позволяет использовать их в мощных инверторах, контроллерах двигателей и аккумуляторных системах. Высокая допустимая нагрузка делает компонент универсальным решением для промышленных и любительских проектов с большим энергопотреблением.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 230 Вт, что требует качественного охлаждения. Корпус TO262 с монтажом THT (через отверстия) обеспечивает надежный контакт с радиатором. Такая конструкция упрощает монтаж на печатной плате и позволяет эффективно отводить тепло во время длительной работы под нагрузкой.

Технология HEXFET® и низкое сопротивление

Использование технологии HEXFET® обеспечивает низкое сопротивление в состоянии проводимости — 1,8 мОм. Это снижает нагрев компонента и повышает общий КПД устройства. Заряд затвора 225 нКл требует соответствующего драйвера, но гарантирует быстрое переключение и стабильную работу при напряжении затвор-исток ±20 В.