Транзистор N-MOSFET Vishay IRFSL11N50APBF, 500 В, 7 А, I2PAK/TO262 — набор 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Vishay IRFSL11N50APBF — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы при напряжении до 500 В и токе до 7 А. Товар поставляется комплектом из 20 шт. в корпусах I2PAK и TO262, что обеспечивает удобный монтаж на печатные платы.

• Напряжение сток-исток: 500 В
• Ток стока: 7 А
• Рассеиваемая мощность: 190 Вт
• Корпуса: I2PAK, TO262
• Тип монтажа: THT (выводной)
• Комплект: 20 шт.

Высокое напряжение и ток

Компонент выдерживает напряжение между стоком и истоком до 500 В, что позволяет использовать его в силовых цепях с высоким потенциалом. Максимальный ток стока составляет 7 А, что обеспечивает надежную коммутацию значительных нагрузок. Напряжение на затворе ограничено ±30 В, что требует соблюдения параметров управляющего сигнала.

Рассеиваемая мощность

Рассеиваемая мощность транзистора достигает 190 Вт. Этот параметр определяет максимальную тепловую нагрузку на компонент во время работы. Транзистор рассчитан на эксплуатацию в условиях, где отводится такое количество тепла.

Удобный монтаж и корпус

Транзистор выполнен в корпусах I2PAK и TO262, поддерживающих технологию навесного монтажа (THT). Такое исполнение упрощает процесс установки компонентов на печатные платы и их замену при необходимости. Корпуса обеспечивают механическую устойчивость и удобство работы с инструментом.

Электрические характеристики

Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,55 Ом, что влияет на тепловые потери при прохождении тока. Общий заряд затвора равен 51 нКл, что определяет скорость переключения и нагрузку на управляющий узел. Транзистор является униполярным с каналом обогащения. Это определяет принцип его работы и подключения к управляющим цепям.

Транзистор Vishay IRFSL11N50APBF в комплекте из 20 шт. подходит для радиолюбителей, инженеров и производителей электронных устройств, которым требуются силовые ключи для высоковольтных применений.