Транзистор N-MOSFET Infineon IRFS7730TRLPBF, 75В, 174А, D2PAK (5 шт.)
2 190 ₴
- В наличии
- Код: TM035869
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFS7730TRLPBF, 75В, 174А, D2PAK (5 шт.)В наличии
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFS7730TRLPBF — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 5 штук. Прибор рассчитан на напряжение 75 В и постоянный ток 174 А.
- Ток стока 174 А, импульсный 984 А
- Напряжение сток-исток 75 В
- Рассеиваемая мощность 375 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 2,6 мОм
- Корпус D2PAK, монтаж SMD
- Комплект: 5 транзисторов
Мощность и ток
Транзистор выдерживает постоянный ток стока 174 А и импульсный ток до 984 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 375 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет 2,6 мОм.
Электрические параметры
Напряжение сток-исток (Vds) равно 75 В, а напряжение затвор-исток (Vgs) — ±20 В. Прибор является униполярным с каналом обогащения (enhancement mode). Применена технология HEXFET®.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе D2PAK с технологией монтажа SMD. Корпус D2PAK предназначен для поверхностного монтажа. Заряд затвора составляет 407 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 375 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 75 В |
| Максимально допустимый ток стока | 174 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.6 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 190 ₴