Транзистор N-MOSFET Infineon IRFS4615TRLPBF, 150 В, 33 А, D2PAK, 10 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFS4615TRLPBF — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель выполнена в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется комплектом из 10 штук.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 150 В
• Ток стока: 33 А
• Рассеиваемая мощность: 144 Вт
• Корпус: D2PAK, монтаж SMD
• Комплектация: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 150 В и постоянный ток стока 33 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 144 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Напряжение затвор-исток ограничено значением ±20 В, что является стандартным для MOSFET-структур.

Технология HEXFET®

Компонент изготовлен по технологии HEXFET®, которая является фирменной структурой Infineon для MOSFET-приборов. Эта технология определяет внутреннее строение транзистора и его электрические характеристики, указанные в спецификации.