Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFS3306TRLPBF, 60 В, 110 А, D2PAK, набор 10 шт.

2 580 ₴

  • В наличии
  • Код: TM019148
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFS3306TRLPBF, 60 В, 110 А, D2PAK, набор 10 шт.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFS3306TRLPBF, 60 В, 110 А, D2PAK, набор 10 шт.В наличии
2 580 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Набор из 10 транзисторов N-MOSFET Infineon IRFS3306TRLPBF в корпусе D2PAK. Компоненты предназначены для силовых схем с нагрузкой до 110 А и напряжением до 60 В.

  • Напряжение сток-исток: 60 В
  • Ток стока: 110 А
  • Импульсный ток: 620 А
  • Рассеиваемая мощность: 230 Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии: 4,2 мОм
  • Корпус: D2PAK (SMD)

Мощность и ток

Транзисторы выдерживают постоянный ток стока 110 А и импульсный до 620 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 230 Вт, что позволяет использовать их в мощных силовых модулях.

Низкое сопротивление и эффективность

Благодаря технологии HEXFET® сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) снижено до 4,2 мОм. Это уменьшает нагрев компонента и потери энергии во время работы.

Надежность и управление

Транзисторы являются униполярными с каналом обогащения, что обеспечивает стабильную работу в силовых схемах. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что гарантирует надежное управление и защиту от перегрузок. Компоненты выполнены в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD), что экономит место на плате и упрощает автоматизированное производство.

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon Technologies
Максимальная мощность рассеивания230 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток60 В
Максимально допустимый ток стока110 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)4.2 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте10 шт.
КорпусD2PAK
ТехнологияHEXFET®
Информация для заказа
  • Цена: 2 580 ₴