
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFS3306TRLPBF, 60 В, 110 А, D2PAK, набор 10 шт.
2 580 ₴
- В наличии
- Код: TM019148
Набор из 10 транзисторов N-MOSFET Infineon IRFS3306TRLPBF в корпусе D2PAK. Компоненты предназначены для силовых схем с нагрузкой до 110 А и напряжением до 60 В.
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 110 А
- Импульсный ток: 620 А
- Рассеиваемая мощность: 230 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 4,2 мОм
- Корпус: D2PAK (SMD)
Мощность и ток
Транзисторы выдерживают постоянный ток стока 110 А и импульсный до 620 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 230 Вт, что позволяет использовать их в мощных силовых модулях.
Низкое сопротивление и эффективность
Благодаря технологии HEXFET® сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) снижено до 4,2 мОм. Это уменьшает нагрев компонента и потери энергии во время работы.
Надежность и управление
Транзисторы являются униполярными с каналом обогащения, что обеспечивает стабильную работу в силовых схемах. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что гарантирует надежное управление и защиту от перегрузок. Компоненты выполнены в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD), что экономит место на плате и упрощает автоматизированное производство.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 230 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 110 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4.2 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | HEXFET® |
- Цена: 2 580 ₴
