Транзистор N-MOSFET Vishay IRFS11N50APBF, 500В, 7А, D2PAK (набор 10 шт.)
3 400 ₴
- В наличии
- Код: TM019147
Транзистор N-MOSFET Vishay IRFS11N50APBF, 500В, 7А, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
3 400 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Vishay IRFS11N50APBF — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Модель имеет максимальное напряжение сток-исток 500 В и ток стока 7 А. Товар поставляется комплектом из 10 штук в корпусе D2PAK (TO263) для монтажа на поверхность (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
- Ток стока: 7 А
- Рассеиваемая мощность: 170 Вт
- Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
- Комплектация: набор из 10 штук
Электрические параметры
Транзистор выдерживает напряжение сток-исток до 500 В. Максимальный постоянный ток стока составляет 7 А. Напряжение затвор-исток может достигать ±30 В.
Мощность и сопротивление
Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 170 Вт. Сопротивление в проводящем состоянии равно 0,52 Ом. Заряд затвора составляет 52 нКл.
Монтаж и комплектация
Компонент выполнен в корпусе D2PAK (TO263) для поверхностного монтажа (SMD). В комплекте поставляется 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 170 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 520 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK, TO263 |
Информация для заказа
- Цена: 3 400 ₴