Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR3710ZTRPBF, 100 В, 56 А, DPAK (набор 20 шт.)

Набор из 20 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель IRFR3710ZTRPBF. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе DPAK, обеспечивают коммутацию тока до 56 А при напряжении 100 В.

• Напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 56 А
• Рассеиваемая мощность: 140 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Технология: HEXFET®
• Количество в наборе: 20 шт.

Мощность и надежность

Транзисторы изготовлены по технологии HEXFET®, что гарантирует стабильную работу силовых ключей. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 140 Вт, что позволяет использовать компоненты в схемах с высокими нагрузками. Номинальный ток стока 56 А обеспечивает эффективную коммутацию в импульсных источниках питания и двигателях.

Электрические параметры

Напряжение сток-исток (Vds) равно 100 В, что делает транзисторы пригодными для систем с повышенным напряжением. Канал типа «обогащенный» и униполярная полярность определяют специфику управления затвором. Компактный корпус DPAK упрощает размещение на печатных платах с плотным монтажом.

Комплектация и монтаж

В комплекте поставляется 20 единиц транзисторов, что удобно для серийного производства или ремонта. Тип монтажа SMD требует соответствующего оборудования для пайки, но обеспечивает компактность устройства. Корпус DPAK имеет стандартные выводы, совместимые с типовыми проектами электронных схем.

Транзисторы подходят для инженеров и радиолюбителей, которые работают с силовыми электронными схемами, где требуется надежная коммутация высоких токов в компактном исполнении.