Транзистор N-MOSFET Vishay IRFR1N60APBF, 600 В, 0,89 А, DPAK (набор 30 шт.)

Набор из 30 транзисторов Vishay IRFR1N60APBF типа N-MOSFET в корпусе DPAK (TO252). Компоненты предназначены для монтажа на поверхность (SMD) и рассчитаны на напряжение до 600 В и ток 0,89 А.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 0,89 А (импульсный до 5,6 А)
• Корпус: DPAK (TO252), монтаж SMD
• Рассеиваемая мощность: 36 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 7 Ом
• Комплектация: набор из 30 штук

Электрические параметры

Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 600 В, а постоянный ток стока — 0,89 А. В импульсном режиме ток может достигать 5,6 А. Напряжение на затворе ограничено ±30 В, а сопротивление в открытом состоянии равно 7 Ом.

Монтаж и корпус

Компоненты выполнены в корпусе DPAK, который также известен как TO252. Это поверхностный монтаж (SMD).

Мощность и заряд затвора

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 36 Вт. Заряд затвора равен 14 нКл.