Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR120NTRPBF, 100В, 9.1А, DPAK (набор 20 шт.)
1 930 ₴
- В наличии
- Код: TM074472
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR120NTRPBF, 100В, 9.1А, DPAK (набор 20 шт.)В наличии
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR120NTRPBF — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель выполнена в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD) и изготовлена по технологии HEXFET®.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 9,1 А
- Рассеиваемая мощность: 39 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Технология изготовления: HEXFET®
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 100 В и ток стока 9,1 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 39 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент имеет корпус DPAK, что обеспечивает компактное размещение на плате. Монтаж выполняется методом SMD (поверхностный монтаж).
Комплектация
Товар поставляется набором из 20 штук.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 39 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 9.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 930 ₴