Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR1205TRPBF, 55В, 37А, DPAK (набор 20 шт.)
2 420 ₴
- В наличии
- Код: TM074471
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR1205TRPBF, 55В, 37А, DPAK (набор 20 шт.)В наличии
2 420 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR1205TRPBF — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD) и изготовлена по технологии HEXFET®.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 55 В
- Ток стока: 37 А
- Мощность рассеивания: 107 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Технология: HEXFET®
- Количество в наборе: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 55 В и максимальный ток стока 37 А. Мощность рассеивания составляет 107 Вт. Тип транзистора — N-MOSFET, полярность — униполярная.
Корпус и монтаж
Компонент поставляется в корпусе DPAK. Монтаж выполняется по технологии SMD (Surface Mount Device). Технология HEXFET® является фирменным решением производителя.
Комплектация
Товар поставляется набором из 20 штук. Количество в комплекте: 20 шт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 107 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимально допустимый ток стока | 37 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 420 ₴