Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP90N20DPBF, 200 В, 94 А, TO247AC (5 шт.)
2 390 ₴
- В наличии
- Код: TM074464
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP90N20DPBF, 200 В, 94 А, TO247AC (5 шт.)В наличии
2 390 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP90N20DPBF — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы с напряжением до 200 В и током до 94 А. Товар поставляется комплектом из 5 штук в корпусе TO247AC с технологией HEXFET®.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
- Ток стока: 94 А
- Мощность рассеивания: 580 Вт
- Корпус: TO247AC, монтаж THT
- Комплект: 5 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 200 В и постоянный ток стока 94 А. Мощность рассеивания составляет 580 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 23 мОм, а заряд затвора — 180 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO247AC. Монтаж осуществляется выводным методом (THT). Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.
Комплектация
В комплект поставки входят 5 транзисторов IRFP90N20DPBF от производителя Infineon Technologies.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 580 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 94 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 23 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247AC |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 390 ₴