Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4768PBFXKMA1, 250 В, 66 А, 520 Вт, TO247AC (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4768PBFXKMA1 — это мощный силовой компонент для силовых схем. Комплект из 5 штук обеспечивает надежную работу при напряжении 250 В и токе 66 А, а корпус TO247AC упрощает монтаж на радиатор.

• Напряжение сток-исток: 250 В
• Ток стока: 66 А
• Импульсный ток: 370 А
• Мощность рассеивания: 520 Вт
• Корпус: TO247AC
• Комплект: 5 шт.

Высокая мощность рассеивания

Транзистор способен рассеивать до 520 Вт тепла, что позволяет использовать его в мощных силовых схемах без риска перегрева. Такой показатель важен для стабильной работы оборудования под длительной нагрузкой.

Устойчивость к пиковым токам

Номинальный ток стока составляет 66 А, а импульсный ток (Idm) достигает 370 А. Это гарантирует надежность при резких всплесках нагрузки, характерных для импульсных режимов работы.

Удобный монтаж и технология

Компонент изготовлен по технологии HEXFET® в корпусе TO247AC с выводами для навесного монтажа (THT). Такая конструкция обеспечивает эффективный отвод тепла и удобство пайки на печатную плату или радиатор.

Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) 17,5 мОм обеспечивает минимальные потери энергии и нагрев при протекании тока. Это повышает общий КПД устройства и позволяет уменьшить размеры радиатора охлаждения. Низкое сопротивление особенно важно для схем с высоким током, где даже незначительные потери могут привести к перегреву компонентов. Такая характеристика подтверждает эффективность транзистора в режимах длительной нагрузки. Благодаря этому компоненту удается достичь стабильной работы без лишнего энергопотребления. ## Заряд затвора 180 нКл определяет скорость переключения транзистора и требования к драйверу затвора. Этот параметр влияет на время перехода между состояниями «открыт» и «закрыт», что критично для высокочастотных схем. Оптимальный заряд затвора позволяет сбалансировать быстродействие и потери на переключение. Это упрощает выбор управляющих схем и обеспечивает стабильную работу в динамических режимах. ## Напряжение затвор-исток ±20 В устанавливает допустимые пределы управляющего сигнала для надежной работы транзистора. Соблюдение этого параметра предотвращает пробой изолятора затвора и обеспечивает долговечность компонента. Это важно при проектировании схем управления, где нужно точно подобрать уровни напряжения. Стабильность параметра гарантирует предсказуемое поведение транзистора в различных условиях эксплуатации. ## Высокая надежность и устойчивость к перегрузкам Транзистор Infineon IRFP4768PBFXKMA1 подходит для применения в мощных силовых схемах, где требуется высокая надежность и устойчивость к перегрузкам.