Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4229PBF, 250V, 44A, TO247AC (набор 10 шт.)
2 400 ₴
- В наличии
- Код: TM074459
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4229PBF, 250V, 44A, TO247AC (набор 10 шт.)В наличии
2 400 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP4229PBF — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO247AC для монтажа на плату. Комплект состоит из 10 единиц.
- Набор из 10 транзисторов
- Корпус TO247AC для монтажа THT
- Напряжение сток-исток 250 В
- Ток стока 44 А
- Рассеиваемая мощность 310 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 46 мОм
Технические параметры
Прибор имеет напряжение сток-исток 250 В и максимальный ток стока 44 А. Рассеиваемая мощность составляет 310 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 46 мОм.
Особенности конструкции
Транзистор изготовлен по технологии HEXFET®. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В, а заряд затвора составляет 72 нКл. Монтаж выполняется методом THT (через отверстия). Транзистор является униполярным с каналом обогащения типа N-MOSFET. Напряжение затвор-исток составляет ±30 В, а заряд затвора — 72 нКл. Символ производителя: IRFP4229PBF.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 310 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 250 В |
| Максимально допустимый ток стока | 44 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 46 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO247AC |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 400 ₴