Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP250MPBF, 200 В, 30 А, TO247AD (набор 10 шт.)

Набор из 10 транзисторов N-MOSFET Infineon IRFP250MPBF в корпусе TO247AD. Это мощные полупроводниковые приборы для силовых электронных схем с номинальным напряжением 200 В и током 30 А.

• Напряжение сток-исток: 200 В
• Ток стока: 30 А
• Рассеиваемая мощность: 214 Вт
• Корпус: TO247AD (монтаж THT)
• Сопротивление в состоянии проводимости: 75 мОм
• Количество в наборе: 10 шт.

Мощность и надежность

Транзисторы IRFP250MPBF рассчитаны на рассеивание мощности до 214 Вт, что позволяет использовать их в высоконагруженных устройствах. Технология HEXFET® обеспечивает стабильную работу и эффективное рассеивание тепла. Номинальный ток стока составляет 30 А, что подходит для управления мощными нагрузками.

Электрические параметры

Максимальное напряжение между стоком и истоком равно 200 В, а напряжение на затворе — ±20 В. Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) составляет 75 мОм, что минимизирует потери энергии при работе. Общий заряд затвора — 123 нКл, что влияет на скорость переключения.

Корпус и монтаж

Компоненты выполнены в стандартном корпусе TO247AD, который обеспечивает удобное крепление к радиатору. Монтаж осуществляется методом вывода в отверстия (THT), что упрощает пайку и замену элементов на платах. Канал транзистора — обогащенного типа (enhancement mode), что является стандартом для большинства силовых MOSFET.

Тип канала и управление затвором## Комплектация

Упаковка содержит 10 транзисторов IRFP250MPBF. Это выгодное решение для серийного производства или ремонта оборудования, где используется несколько одинаковых компонентов.