Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP150NPBF, 100 В, 30 А, TO247AC (набор 10 шт.)
2 350 ₴
- В наличии
- Код: TM035861
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP150NPBF, 100 В, 30 А, TO247AC (набор 10 шт.)В наличии
2 350 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP150NPBF — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе TO247AC для монтажа на плату (THT) и поставляется набором из 10 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 30 А
- Рассеиваемая мощность: 160 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 36 мОм
- Корпус: TO247AC, монтаж THT
- Комплектация: набор из 10 транзисторов
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 100 В и ток стока 30 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 160 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 36 мОм.
Управление и технология
Устройство использует технологию HEXFET®. Напряжение управления затвор-исток (Vgs) составляет ±20 В, а полный заряд затвора (Qg) — 110 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 160 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 30 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO247AC |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 350 ₴