Транзистор N-MOSFET Vishay IRFBC40PBF, 600 В, 3,9 А, TO220AB, набор 20 шт.

Набор из 20 транзисторов Vishay IRFBC40PBF типа N-MOSFET в корпусе TO220AB. Предназначены для монтажа на печатных платах (THT) в устройствах с напряжением до 600 В. Транзисторы имеют униполярную структуру и канал обогащения.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 3,9 А (постоянный), 25 А (импульс)
• Рассеиваемая мощность: 125 Вт
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Набор: 20 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзисторы выдерживают напряжение сток-исток до 600 В и постоянный ток стока 3,9 А. Это позволяет использовать их в силовых цепях с высокими требованиями к изоляции и нагрузке. Канал обогащения обеспечивает стабильное открывание при подаче управляющего сигнала.

Рассеиваемая мощность

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 125 Вт, что обеспечивает стабильную работу при значительных нагрузках. Для эффективного отвода тепла рекомендуется использование радиаторов. Корпус TO220AB упрощает монтаж и крепление к радиатору.

Импульсные характеристики и сопротивление

Ток стока в импульсе достигает 25 А, что делает транзисторы пригодными для работы в импульсных режимах. Сопротивление в состоянии проводимости 1,2 Ом и заряд затвора 60 нКл определяют скорость переключения и тепловые потери. Напряжение затвор-исток ±20 В обеспечивает надежное управление каналом.