Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7730PBF, 75 В, 246 А, TO220AB (набор 10 шт.)

3 460 ₴

  • В наличии
  • Код: TM019118
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7730PBF, 75 В, 246 А, TO220AB (набор 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7730PBF, 75 В, 246 А, TO220AB (набор 10 шт.)В наличии
3 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7730PBF — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе TO220AB, предназначенный для коммутации тока в электронных схемах. Комплект состоит из 10 штук, что удобно для серийного монтажа или создания запаса компонентов.

  • Ток стока до 246 А
  • Рассеиваемая мощность 375 Вт
  • Низкое сопротивление проводимости 2,2 мОм снижает нагрев
  • Напряжение сток-исток 75 В
  • Корпус TO220AB с монтажом в отверстия (THT)
  • Комплект из 10 транзисторов

Высокая токовая нагрузка

Прибор рассчитан на постоянный ток стока до 246 А, что позволяет использовать его в силовых цепях со значительным энергопотреблением.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 375 Вт.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) равно 2,2 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы.

Удобный монтаж и технология

Транзистор изготовлен по технологии HEXFET® и имеет выводы для монтажа в отверстия (THT), что упрощает процесс пайки на печатных платах. Корпус TO220AB.

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon Technologies
Максимальная мощность рассеивания375 Вт
Максимально допустимое напряжение сток-исток75 В
Максимально допустимый ток стока246 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)2.2 mOm
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте10 шт.
КорпусTO220AB
ТехнологияHEXFET®
Информация для заказа
  • Цена: 3 460 ₴