
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7730PBF, 75 В, 246 А, TO220AB (набор 10 шт.)
3 460 ₴
- В наличии
- Код: TM019118
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7730PBF — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе TO220AB, предназначенный для коммутации тока в электронных схемах. Комплект состоит из 10 штук, что удобно для серийного монтажа или создания запаса компонентов.
- Ток стока до 246 А
- Рассеиваемая мощность 375 Вт
- Низкое сопротивление проводимости 2,2 мОм снижает нагрев
- Напряжение сток-исток 75 В
- Корпус TO220AB с монтажом в отверстия (THT)
- Комплект из 10 транзисторов
Высокая токовая нагрузка
Прибор рассчитан на постоянный ток стока до 246 А, что позволяет использовать его в силовых цепях со значительным энергопотреблением.
Эффективное рассеивание тепла
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 375 Вт.
Низкое сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) равно 2,2 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы.
Удобный монтаж и технология
Транзистор изготовлен по технологии HEXFET® и имеет выводы для монтажа в отверстия (THT), что упрощает процесс пайки на печатных платах. Корпус TO220AB.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 375 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 75 В |
| Максимально допустимый ток стока | 246 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.2 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 3 460 ₴
