Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7546PBF, 60 В, 75 А, TO220AB, набор 20 шт.
2 410 ₴
- В наличии
- Код: TM074447
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7546PBF, 60 В, 75 А, TO220AB, набор 20 шт.В наличии
2 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 20 транзисторов N-MOSFET Infineon IRFB7546PBF в корпусе TO220AB. Предназначены для монтажа на плату с выводами (THT). Ключевые параметры: напряжение сток-исток 60 В, ток стока 75 А, рассеиваемая мощность 99 Вт.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 75 А
- Рассеиваемая мощность: 99 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Сопротивление в открытом состоянии: 7,3 мОм
- Количество в наборе: 20 шт.
Электрические характеристики
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 60 В, а допустимый ток стока — 75 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 7,3 мОм.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в стандартном корпусе TO220AB. Монтаж осуществляется через отверстия на плате (THT). Технология изготовления HEXFET®.
Комплектация
В комплекте поставляется 20 транзисторов IRFB7546PBF. Символ производителя: IRFB7546PBF. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 99 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 75 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 7.3 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 410 ₴