Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7540PBF, 60 В, 80 А, TO220AB (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7540PBF — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO220AB, предназначенный для коммутации и управления нагрузкой в электронных устройствах. Комплект состоит из 20 штук, что удобно для серийного производства или ремонта оборудования.

• Ток стока до 80 А
• Напряжение сток-исток 60 В
• Рассеиваемая мощность 160 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии 5,1 мОм
• Корпус TO220AB для монтажа THT
• Комплект из 20 транзисторов

Мощность и ток

Транзистор рассчитан на постоянный ток стока до 80 А и рассеивание мощности до 160 Вт. Это позволяет использовать его в силовых цепях с высокой нагрузкой, где требуется надежная коммутация больших токов.

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии равно 5,1 мОм, что характеризуется низким сопротивлением в открытом состоянии.

Технология и монтаж

Прибор изготовлен по технологии HEXFET®, которая является известной технологией для силовых MOSFET. Монтаж выполняется методом THT (сквозной монтаж), что предполагает установку в отверстия печатной платы.

Транзистор Infineon IRFB7540PBF предназначен для использования в силовых электронных схемах. Набор из 20 штук оптимизирует процесс сборки и обеспечивает запас компонентов для серийных проектов.## Полярность и тип каналаТранзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Такая конфигурация обеспечивает стандартное поведение при управлении напряжением на затворе, что типично для большинства силовых коммутационных схем.## Заряд затвораЗаряд затвора составляет 88 нКл. Этот параметр влияет на требования к драйверу затвора и определяет энергию, необходимую для переключения транзистора в рабочих режимах.