Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7534PBF, 60V, 195A, TO220AB (набор 10 шт.)
2 220 ₴
- В наличии
- Код: TM074444
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7534PBF, 60V, 195A, TO220AB (набор 10 шт.)В наличии
2 220 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 мощных N-канальных MOSFET-транзисторов Infineon IRFB7534PBF в корпусе TO220AB. Компоненты рассчитаны на напряжение 60 В и ток до 195 А.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 195 А
- Рассеиваемая мощность: 294 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Количество в наборе: 10 шт.
Технические характеристики
Транзисторы имеют канал обогащения и технологию HEXFET®. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 294 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 2,4 мОм. Допустимое напряжение затвор-исток находится в пределах ±20 В.
Электрические параметры
Компоненты предназначены для выводного монтажа (THT) в корпусе TO220AB. В комплект входит 10 одинаковых транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 294 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 195 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.4 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 220 ₴