Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB7440PBF, 40V, 208A, TO220AB, комплект 20 шт.

Комплект из 20 мощных N-MOSFET транзисторов Infineon IRFB7440PBF в корпусе TO220AB. Эти полупроводниковые приборы рассчитаны на высокий ток до 208 А и напряжение 40 В, что делает их оптимальным решением для силовых электронных схем.

• Ток стока до 208 А для мощных силовых схем
• Напряжение сток-исток 40 В
• Мощность рассеивания 208 Вт
• Низкое сопротивление в открытом состоянии 2,5 мОм
• Корпус TO220AB для выводного монтажа (THT)
• Комплект из 20 транзисторов

Высокая токовая нагрузка

Транзисторы IRFB7440PBF обеспечивают постоянный ток стока до 208 А, что позволяет управлять мощными нагрузками без дополнительных параллельных соединений. Такая характеристика критически важна для инверторов, контроллеров двигателей и систем питания с высоким энергопотреблением.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная мощность рассеивания составляет 208 Вт, что требует надлежащего теплового режима. Для стабильной работы при высоких нагрузках рекомендуется использование радиаторов, так как корпус TO220AB эффективно отводит тепло от кристалла.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) равно 2,5 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы. Это повышает общий КПД устройства и позволяет уменьшить размеры системы охлаждения.

Удобный монтаж и технология

Компоненты изготовлены по технологии HEXFET® и предназначены для выводного монтажа (THT) в корпусе TO220AB. Такое исполнение упрощает пайку и замену элементов в прототипах или серийных устройствах, обеспечивая надежный контакт с печатной платой.

Комплектация

В комплекте поставляется 20 транзисторов IRFB7440PBF, что удобно для массового производства или создания нескольких устройств одновременно.