Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB5620PBF, 200 В, 25 А, TO220AB (набор 10 шт.)

Набор из 10 транзисторов N-MOSFET Infineon IRFB5620PBF в корпусе TO220AB. Предназначены для монтажа на печатную плату (THT) и работы с напряжением до 200 В и током до 25 А.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
• Максимальный ток стока: 25 А
• Рассеиваемая мощность: 144 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 72,5 мОм
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Технология: HEXFET®
• Количество в наборе: 10 шт.

Технология HEXFET®

Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между истоком и стоком составляет 200 В, а постоянный ток стока — 25 А. Рассеиваемая мощность равна 144 Вт. Напряжение на затворе ограничено ±20 В.

Электрические параметры

Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 72,5 мОм, что обеспечивает эффективную работу при высоких нагрузках. Общий заряд затвора (Qg) равен 25 нКл. Транзистор изготовлен по технологии HEXFET®, что влияет на его ключевые характеристики.

Комплектация и монтаж

В состав набора входит 10 единиц транзисторов. Корпус TO220AB предусматривает монтаж в отверстия (THT), что является стандартным решением для многих электронных схем.