Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4620PBF, 200 В, 25 А, TO220AB (набор 10 шт.)
1 990 ₴
- В наличии
- Код: TM074442
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4620PBF, 200 В, 25 А, TO220AB (набор 10 шт.)В наличии
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 транзисторов N-MOSFET Infineon IRFB4620PBF в корпусе TO220AB. Предназначены для монтажа на плату с выводами (THT). Ключевые параметры: напряжение 200 В, ток 25 А, рассеиваемая мощность 144 Вт.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение: 200 В
- Ток стока: 25 А
- Рассеиваемая мощность: 144 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Количество в наборе: 10 шт.
Электрические характеристики
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 200 В, а допустимый ток стока — 25 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 72,5 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO220AB. Монтаж выполняется методом установки в отверстия (THT). Технология изготовления: HEXFET®.
Комплектация
В упаковке содержится 10 транзисторов IRFB4620PBF.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 144 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 25 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 72.5 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 990 ₴