Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4610PBF, 100В, 73А, TO220AB, комплект 10 шт.
2 080 ₴
- В наличии
- Код: TM035851
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4610PBF, 100В, 73А, TO220AB, комплект 10 шт.В наличии
2 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4610PBF — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе TO220AB. Комплект состоит из 10 единиц.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 73 А
- Рассеиваемая мощность: 190 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектация: 10 шт.
Электрические параметры и канал
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 100 В и ток стока 73 А. Рассеиваемая мощность составляет 190 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 14 мОм, а заряд затвора — 90 нКл. Канал транзистора является обогащаемым (enhancement mode).
Корпус, монтаж и технология
Компонент выполнен в стандартном корпусе TO220AB с технологией HEXFET®. Монтаж выполняется методом вывода в отверстия (THT). Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В. Компонент изготовлен по технологии HEXFET®.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 190 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 73 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 14 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 080 ₴