Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4510PBF, 100В, 62А, TO220AB, комплект 10 шт.
2 250 ₴
- В наличии
- Код: TM074441
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4510PBF, 100В, 62А, TO220AB, комплект 10 шт.В наличии
2 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4510PBF — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе TO220AB. Комплект состоит из 10 штук, предназначенных для монтажа на печатную плату (THT).
- Комплект: 10 транзисторов
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 62 А
- Мощность рассеивания: 140 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 100 В и выдерживает ток стока 62 А. Мощность рассеивания составляет 140 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 13,5 мОм.
Технология и конструкция
Прибор изготовлен по технологии HEXFET®. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а заряд затвора составляет 58 нКл. Монтаж выполняется методом THT (сквозь отверстия), корпус TO220AB. Канал транзистора является обогащаемым (enhancement mode). Тип транзистора — N-MOSFET, полярность — униполярная. Символ производителя: IRFB4510PBF.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 140 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 62 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 13.5 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 250 ₴