Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4310ZPBF, 100V, 127A, TO220AB (набор 10 шт.)

Набор из 10 транзисторов N-MOSFET Infineon IRFB4310ZPBF в корпусе TO220AB. Предназначены для коммутации тока до 127 А при напряжении 100 В.

• Набор из 10 транзисторов N-MOSFET
• Максимальный ток стока 127 А
• Напряжение сток-исток 100 В
• Рассеиваемая мощность 250 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости 6 мОм
• Корпус TO220AB, монтаж THT

Высокая рассеиваемая мощность

Транзисторы имеют рассеиваемую мощность 250 Вт, что позволяет использовать их в силовых схемах со значительными нагрузками. Это обеспечивает стабильную работу устройств без перегрева компонентов.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводимости составляет 6 мОм. Такое значение минимизирует потери энергии и нагрев транзистора во время работы, повышая общий КПД электронного устройства.

Удобный монтаж

Компоненты выполнены в корпусе TO220AB с технологией монтажа THT (через отверстия). Это упрощает процесс установки на печатные платы и обеспечивает надежный механический контакт.

Технология HEXFET®

Компоненты изготовлены по технологии HEXFET®, что обеспечивает высокую эффективность переключения. Транзисторы являются униполярными с каналом типа N (обогащенный). Максимальное напряжение между затвором и истоком составляет ±20 В, а заряд затвора — 0,12 мкКл.