Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4229PBF, 250 В, 46 А, TO220AB (набор 10 шт.)
2 490 ₴
- В наличии
- Код: TM074440
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4229PBF, 250 В, 46 А, TO220AB (набор 10 шт.)В наличии
2 490 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4229PBF — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO220AB для монтажа на плату. Комплект состоит из 10 штук.
- Тип: N-MOSFET, канал с обогащением
- Максимальное напряжение сток-исток: 250 В
- Ток стока: 46 А
- Рассеиваемая мощность: 330 Вт
- Сопротивление открытого канала: 46 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектация: 10 шт.
Мощность и ток
Транзистор рассчитан на максимальную рассеиваемую мощность 330 Вт и постоянный ток стока 46 А. Напряжение сток-исток составляет 250 В.
Электрические параметры
Сопротивление открытого канала равно 46 мОм. Заряд затвора составляет 72 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±30 В. Транзистор изготовлен по технологии HEXFET®.
Монтаж и корпус
Компонент имеет корпус TO220AB с выводами для монтажа в отверстия (THT).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 330 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 250 В |
| Максимально допустимый ток стока | 46 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 46 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 490 ₴