Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4227PBF, 200 В, 65 А, 190 Вт, TO220AB (набор 10 шт.)

1 860 ₴

  • В наличии
  • Код: TM074438
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4227PBF, 200 В, 65 А, 190 Вт, TO220AB (набор 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4227PBF, 200 В, 65 А, 190 Вт, TO220AB (набор 10 шт.)В наличии
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4227PBF — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO220AB для монтажа на плату. Комплект состоит из 10 штук, что удобно для серийного производства или ремонта оборудования.

  • Максимальная мощность рассеивания 190 Вт
  • Ток стока до 65 А
  • Напряжение сток-исток 200 В
  • Корпус TO220AB для монтажа THT
  • Технология HEXFET®
  • Комплект из 10 транзисторов

Высокая мощность рассеивания

Максимальная мощность рассеивания составляет 190 Вт, что позволяет транзистору работать в режимах высокой нагрузки. Максимально допустимый ток стока — 65 А, что обеспечивает коммутацию значительных токов в силовых цепях.

Высокое напряжение сток-исток

Прибор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 200 В, что делает его пригодным для сетей с повышенным напряжением. Используется технология HEXFET®, которая является фирменным решением производителя для оптимизации характеристик MOSFET.

Корпус TO220AB и монтаж THT

Транзистор выполнен в стандартном корпусе TO220AB, который обеспечивает эффективный отвод тепла. Тип монтажа THT (through-hole technology) означает, что компоненты устанавливаются в отверстия на печатной плате и припаиваются с другой стороны. Это обеспечивает надежный механический контакт с платой. Такой способ монтажа часто используется в силовых элементах, где важна устойчивость к вибрациям. Корпус TO220AB позволяет крепить транзистор к радиатору для дополнительного охлаждения. Это важно для реализации полной мощности 190 Вт без перегрева. Максимально допустимый ток стока 65 А определяет пропускную способность прибора в открытом состоянии. Этот параметр критичен для выбора транзистора в силовые ключи. Максимальное напряжение сток-исток 200 В указывает на границы рабочего диапазона напряжения. Превышение этого напряжения может привести к пробою перехода. Технология HEXFET® является фирменным решением Infineon для оптимизации характеристик MOSFET. Она влияет на скорость переключения и эффективность прибора. Комплект из 10 транзисторов удобен для серийного монтажа или замены компонентов в оборудовании. Это уменьшает количество заказов при больших объемах производства. Транзистор IRFB4227PBF подходит для инженеров и техников, которые работают с силовыми электронными схемами. Он обеспечивает стабильную работу в условиях высоких токов и напряжений. Для полного раскрытия характеристик рекомендуется ознакомиться с даташитом производителя.

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon Technologies
Максимальная мощность рассеивания190 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток30 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток200 В
Максимально допустимый ток стока65 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)26 mOm
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте10 шт.
КорпусTO220AB
ТехнологияHEXFET®
Информация для заказа
  • Цена: 1 860 ₴