Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4020PBF, 200 В, 18 А, TO220AB (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4020PBF — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 200 В и ток 18 А. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе TO220AB для монтажа на плату.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
• Ток стока: 18 А
• Рассеиваемая мощность: 100 Вт
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Технология: HEXFET®
• Количество в комплекте: 10 шт.

Напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 200 В и ток стока 18 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 100 Вт, а сопротивление в состоянии проводимости — 0,1 Ом.

Управление и технология

Прибор изготовлен по технологии HEXFET®. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 18 нКл. Корпус TO220AB предназначен для монтажа на печатную плату (THT).

Комплектация

В упаковке находится 10 транзисторов IRFB4020PBF.