Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB38N20DPBF, 200В, 44А, TO220AB (набор 10 шт.)
2 370 ₴
- В наличии
- Код: TM074436
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB38N20DPBF, 200В, 44А, TO220AB (набор 10 шт.)В наличии
2 370 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 транзисторов N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IRFB38N20DPBF. Это униполярные компоненты в корпусе TO220AB для монтажа на плату (THT).
- Напряжение сток-исток 200 В
- Ток стока 44 А
- Рассеиваемая мощность 320 Вт
- Корпус TO220AB для монтажа THT
- Технология HEXFET®
- Набор из 10 транзисторов
Технические характеристики
Транзисторы имеют напряжение сток-исток 200 В и ток стока 44 А. Рассеиваемая мощность составляет 320 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 54 мОм, а заряд затвора — 60 нКл.
Особенности конструкции
Компоненты изготовлены по технологии HEXFET®. Канал обогащенного типа, напряжение затвор-исток составляет ±30 В. Монтаж выполняется методом THT (through-hole technology).
Комплектация
В упаковке находится 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 320 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 44 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 54 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 370 ₴