Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3607PBF, 75 В, 80 А, TO220AB, комплект 20 шт.

Комплект из 20 мощных N-канальных MOSFET-транзисторов Infineon IRFB3607PBF в корпусе TO220AB. Предназначены для силовых схем с нагрузкой до 80 А и напряжением до 75 В. Изготовлены по технологии HEXFET®, что обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии и эффективное рассеивание тепла.

• Ток стока до 80 А для мощных нагрузок
• Напряжение сток-исток 75 В
• Низкое сопротивление в открытом состоянии 9 мОм
• Мощность рассеивания 140 Вт
• Корпус TO220AB для монтажа на плату (THT)
• Комплект из 20 транзисторов

Высокая токовая нагрузка

Транзисторы выдерживают постоянный ток стока до 80 А, что делает их пригодными для управления мощными двигателями, инверторами и блоками питания. Максимальное напряжение сток-исток составляет 75 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Это позволяет использовать компонент в широком спектре промышленных и бытовых электронных устройств.

Эффективность и тепловой режим

Благодаря технологии HEXFET® сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) составляет всего 9 мОм. Такое низкое сопротивление минимизирует потери энергии и нагрев во время работы. Мощность рассеивания достигает 140 Вт, что требует обязательного использования радиаторов для стабильной работы при высоких нагрузках.

Удобство монтажа и комплектация

Компоненты выполнены в стандартном корпусе TO220AB с выводами для монтажа на плату (THT). Это упрощает процесс пайки и интеграции в существующие схемы. Комплект из 20 штук удобен для серийного производства или ремонта оборудования, где нужно заменить несколько транзисторов одновременно. Транзисторы являются униполярными с каналом обогащения, что обеспечивает стабильную работу в ключевых режимах. Заряд затвора составляет 56 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу затвора.