Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3307ZPBF, 75 В, 120 А, TO220AB (набор 10 шт.)
2 250 ₴
- В наличии
- Код: TM074435
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3307ZPBF, 75 В, 120 А, TO220AB (набор 10 шт.)В наличии
2 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 мощных полевых транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель IRFB3307ZPBF. Компоненты имеют напряжение сток-исток 75 В и ток стока 120 А.
- Напряжение сток-исток: 75 В
- Ток стока: 120 А
- Рассеиваемая мощность: 230 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 5,8 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектация: 10 шт.
Электрические параметры
Транзисторы имеют максимальную рассеиваемую мощность 230 Вт, ток стока 120 А и напряжение сток-исток 75 В.
Сопротивление и заряд затвора
Сопротивление в состоянии проводимости составляет 5,8 мОм, а заряд затвора — 79 нКл.
Корпус, монтаж и комплектация
Компоненты выполнены в корпусе TO220AB с технологией HEXFET®. Монтаж осуществляется выводами в отверстия (THT). В комплекте поставляется 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 230 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 75 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 5.8 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 250 ₴