Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3207ZPBF, 75 В, 120 А, TO220AB — набор 10 шт.
2 560 ₴
- В наличии
- Код: TM035849
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3207ZPBF — мощный полупроводниковый прибор в корпусе TO220AB, предназначенный для коммутации высоких токов. Комплект состоит из 10 штук, что обеспечивает запас для серийного производства или ремонта оборудования.
- Ток стока: 120 А
- Напряжение сток-исток: 75 В
- Рассеиваемая мощность: 300 Вт
- Сопротивление в состоянии проводности: 4,1 мОм
- Корпус: TO220AB (монтаж THT)
- Комплектация: 10 шт.
Высокая мощность и ток
Прибор рассчитан на постоянный ток стока до 120 А и рассеивание мощности 300 Вт. Это позволяет использовать транзистор в силовых цепях с высокими нагрузками, где требуется надежная коммутация без перегрева.
Низкое сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в состоянии проводности составляет всего 4,1 мОм. Такое значение минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы, что повышает общий КПД устройства.
Удобный монтаж и технология
Компонент изготовлен по технологии HEXFET® и имеет выводы для монтажа на плату (THT). Корпус TO220AB обеспечивает удобное крепление к радиатору для эффективного отвода тепла.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 75 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4.1 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
- Цена: 2 560 ₴