
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3206GPBF, 60 В, 150 А, TO220AB, набор 10 шт.
2 850 ₴
- В наличии
- Код: TM035848
Набор из 10 мощных N-MOSFET транзисторов Infineon IRFB3206GPBF в корпусе TO220AB. Компоненты рассчитаны на ток до 150 А и напряжение 60 В, что делает их пригодными для силовых электронных схем.
- Ток стока до 150 А
- Напряжение сток-исток 60 В
- Рассеиваемая мощность 300 Вт
- Сопротивление в состоянии проводности 3 мОм
- Корпус TO220AB для монтажа THT
- Набор из 10 транзисторов
Высокая мощность и ток
Транзисторы выдерживают постоянный ток стока до 150 А и рассеивают мощность до 300 Вт. Это позволяет использовать их в мощных инверторах, источниках питания и системах управления двигателями без риска перегрева при правильном охлаждении.
Низкое сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в состоянии проводности составляет всего 3 мОм. Такое низкое значение минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы, что повышает общий КПД устройства.
Удобный монтаж и технология
Компоненты изготовлены по технологии HEXFET® и имеют корпус TO220AB для монтажа на плату (THT). Стандартный корпус обеспечивает удобство пайки и возможность крепления радиатора для отвода тепла.
Параметры управления затвором
Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 0,12 мкКл. Эти характеристики упрощают подбор драйвера затвора и обеспечивают стабильную работу транзистора в ключевых режимах.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 150 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
- Цена: 2 850 ₴
