Транзистор N-MOSFET Infineon IRF8010PBF, 100 В, 80 А, TO220AB, комплект 10 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF8010PBF — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 80 А при напряжении 100 В. Товар поставляется комплектом из 10 штук в корпусе TO220AB для монтажа на плату (THT).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 80 А
• Рассеиваемая мощность: 260 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 15 мОм
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Комплектация: 10 штук

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток 100 В и выдерживает постоянный ток стока 80 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 260 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 15 мОм.

Технология и монтаж

Прибор изготовлен по технологии HEXFET®. Корпус TO220AB и тип монтажа THT (навесной). Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а заряд затвора составляет 81 нКл. Канал транзистора — обогащения, полярность — униполярная.