Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7853TRPBF, 100 В, 8,3 А, SO8 (набор 10 шт.)
1 870 ₴
- В наличии
- Код: TM074430
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7853TRPBF, 100 В, 8,3 А, SO8 (набор 10 шт.)В наличии
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7853TRPBF — это полупроводниковый прибор в корпусе SO8 для SMD-монтажа. Комплект состоит из 10 элементов. Максимальная мощность рассеивания каждого транзистора составляет 2,5 Вт.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
- Максимально допустимый ток стока: 8,3 А
- Максимальная мощность рассеивания: 2,5 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Комплектация: 10 шт.
Электрические параметры
Прибор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 100 В и выдерживает ток стока до 8,3 А. Эти характеристики определяют рабочий диапазон транзистора в электрических схемах.
Корпус и технология
Транзистор изготовлен по технологии HEXFET® в корпусе SO8. Такое исполнение предназначено для поверхностного монтажа (SMD) на печатные платы.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 8.3 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 870 ₴