
Транзистор Infineon IRF7351TRPBF, N-MOSFET x2, 60В, 8А, SO8 — набор 10 шт.
1 860 ₴
- В наличии
- Код: TM074427
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор Infineon IRF7351TRPBF — это комплект из 10 штук двойных N-канальных MOSFET-транзисторов в корпусе SO8. Предназначен для монтажа на поверхность платы (SMD) и работы в электронных схемах с нагрузкой до 8 А.
- Комплект из 10 транзисторов
- Максимальное напряжение сток-исток 60 В
- Максимальный ток стока 8 А
- Мощность рассеивания 2 Вт
- Корпус SO8 для SMD-монтажа
- Технология HEXFET®
Электрические параметры
Транзисторы имеют максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 8 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 2 Вт. Канал транзистора — обогащенного типа (enhancement mode), что обеспечивает стандартную логику управления для MOSFET.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в корпусе SO8 с технологией HEXFET®. Это позволяет использовать их в устройствах с ограниченной площадью печатной платы. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).
Комплектация
В комплекте поставляется 10 транзисторов Infineon IRF7351TRPBF.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 8 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 860 ₴
