Транзистор Infineon IRF7343TRPBF N/P-MOSFET SO8, 55 В, 4,7 А, комплект 20 шт.

Комплект из 20 транзисторов Infineon IRF7343TRPBF типа N/P-MOSFET в корпусе SO8. Эти компоненты предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и обеспечивают коммутацию тока 4,7 А (N-канал) или -3,4 А (P-канал) при напряжении 55 В.

• Комплект из 20 транзисторов
• Корпус SO8 для монтажа SMD
• Напряжение сток-исток 55 В
• Ток стока 4,7 А / -3,4 А
• Рассеиваемая мощность 2 Вт
• Технология HEXFET®

Удобный монтаж SMD

Транзисторы выполнены в стандартном корпусе SO8, что позволяет использовать их в устройствах с плотной компоновкой платы. Технология HEXFET® обеспечивает стабильную работу компонентов в схемах управления питанием.

Электрические параметры

Компоненты имеют напряжение сток-исток 55 В и ток стока 4,7 А (для N-канала) или -3,4 А (для P-канала). Рассеиваемая мощность составляет 2 Вт, что соответствует типовым нагрузкам в маломощных устройствах.

Структура канала и сопротивление в открытом состоянии

Компоненты имеют обогащенный канал (unipolarny, wzbogacany), что обеспечивает стабильное открывание транзистора. Сопротивление в открытом состоянии составляет 50 мОм для N-канала и 105 мОм для P-канала, что минимизирует потери энергии при коммутации. Максимальное напряжение затвор-исток равно ±20 В, что определяет допустимый уровень управляющего сигнала.