Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7341TRPBFXTMA1, 55В, 4,7А, SO8 — набор 20 шт.
1 970 ₴
- В наличии
- Код: TM074426
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7341TRPBFXTMA1, 55В, 4,7А, SO8 — набор 20 шт.В наличии
1 970 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IRF7341TRPBFXTMA1. Это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SO8. Пакет содержит 20 единиц.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 55 В
- Ток стока: 4,7 А
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Канал: обогащаемый
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение между стоком и истоком 55 В. Максимальный ток стока составляет 4,7 А. Эти характеристики определяют рабочий диапазон компонента в электрических схемах.
Тип и конструкция
Компонент является полевым транзистором с каналом n-типа (N-MOSFET) и обогащаемым каналом. Корпус SO8 обеспечивает компактные размеры и удобство для автоматизированного монтажа по технологии SMD.
Комплектация
В набор поставляется 20 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4.7 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
Информация для заказа
- Цена: 1 970 ₴