Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7341GTRPBF, 55 В, 5,1 А, SO8 (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF7341GTRPBF — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель рассчитана на напряжение сток-исток 55 В и ток стока 5,1 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
• Напряжение сток-исток: 55 В
• Ток стока: 5,1 А
• Корпус: SO8, монтаж SMD
• Канал: обогащенный
• Количество в комплекте: 10 шт.

Технические параметры

Транзистор имеет тип N-MOSFET и униполярную полярность, что определяет принцип его работы в схемах. Максимальное напряжение сток-исток составляет 55 В, а допустимый ток стока — 5,1 А. Канал транзистора является обогащенным, что означает отсутствие тока в закрытом состоянии без подачи напряжения на затвор.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SO8, который является стандартным для поверхностного монтажа (SMD). Монтаж осуществляется методом SMD.

Комплектация

Товар поставляется набором из 10 транзисторов.