Транзистор P-MOSFET Infineon IRF7306TRPBF, SO8, -30V, -3,6A, 2W (набор 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET Infineon IRF7306TRPBF — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Товар поставляется набором из 20 единиц в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
• Напряжение сток-исток: -30 В
• Ток стока: -3,6 А
• Мощность рассеивания: 2 Вт
• Корпус: SO8, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до -30 В и выдерживает ток стока до -3,6 А. Мощность рассеивания составляет 2 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.

Корпус и технология

Компонент выполнен в корпусе SO8 с использованием технологии HEXFET®. Тип монтажа — SMD (поверхностный).

Транзисторы IRF7306TRPBF поставляются набором из 20 единиц.