Транзистор N-MOSFET Infineon IRF640NSTRLPBF, 200В, 18А, D2PAK — набор 20 шт.
3 630 ₴
- В наличии
- Код: TM019098
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF640NSTRLPBF — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе D2PAK для монтажа SMD. Комплект состоит из 20 штук, что обеспечивает удобство для серийного производства или ремонта электронных устройств.
- Ток стока 18 А для мощных нагрузок
- Напряжение сток-исток 200 В
- Рассеиваемая мощность 150 Вт
- Корпус D2PAK для монтажа SMD
- Технология HEXFET® от Infineon
- Комплект из 20 транзисторов
Мощность и ток
Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 18 А и напряжение сток-исток 200 В. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 150 Вт, что позволяет использовать компонент в силовых цепях с высокими нагрузками.
Технология и монтаж
Компонент изготовлен по технологии HEXFET®, что гарантирует стабильные электрические характеристики. Корпус D2PAK и тип монтажа SMD упрощают автоматизированную установку на печатные платы, экономя место на поверхности.
Применение
Униполярный N-MOSFET с каналом обогащения подходит для коммутационных задач в импульсных источниках питания, инверторах и двигателях.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 150 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 18 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | HEXFET® |
- Цена: 3 630 ₴