Транзистор N-MOSFET Infineon IRF630NPBF, 200 В, 9,5 А, TO220AB (набор 20 шт.)
1 930 ₴
- В наличии
- Код: TM074417
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF630NPBF, 200 В, 9,5 А, TO220AB (набор 20 шт.)В наличии
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF630NPBF — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Комплект состоит из 20 штук в корпусе TO220AB для монтажа на печатную плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 200 В
- Ток стока: 9,5 А
- Рассеиваемая мощность: 82 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектация: набор из 20 транзисторов
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 200 В и постоянный ток стока 9,5 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 82 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,3 Ом, а заряд затвора — 23,3 нКл.
Технология и конструкция
Устройство изготовлено по технологии HEXFET®. Корпус TO220AB с выводами предназначен для монтажа в отверстия (THT). Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 82 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 9.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 300 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 930 ₴