Транзистор P-MOSFET Infineon IRF5803TRPBF, TSOP6, -40В, -3,4А (комплект 30 шт.)
1 930 ₴
- В наличии
- Код: TM074415
Транзистор P-MOSFET Infineon IRF5803TRPBF, TSOP6, -40В, -3,4А (комплект 30 шт.)В наличии
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-MOSFET транзистор Infineon IRF5803TRPBF в корпусе TSOP6 для SMD-монтажа. Комплект состоит из 30 единиц.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: -40 В
- Ток стока: -3,4 А
- Рассеиваемая мощность: 1,3 Вт
- Корпус: TSOP6, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 30 шт.
Технические параметры
Транзистор является униполярным P-канальным MOSFET с напряжением сток-исток -40 В и током стока -3,4 А. Рассеиваемая мощность составляет 1,3 Вт. Канал обогащенного типа, что определяет его поведение в электрических цепях.
Корпус и технология
Компонент изготовлен по технологии HEXFET® в корпусе TSOP6. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.3 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | TSOP6 |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 930 ₴