Транзистор N-MOSFET Infineon IRF5802TRPBF, 150 В, 0,9 А, TSOP6 (набор 40 шт.)
2 420 ₴
- В наличии
- Код: TM074414
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF5802TRPBF, 150 В, 0,9 А, TSOP6 (набор 40 шт.)В наличии
2 420 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF5802TRPBF — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Набор из 40 штук
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 150 В
- Ток стока: 0,9 А
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Корпус: TSOP6, монтаж SMD
- Комплектация: 40 шт.
Технические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 150 В и ток стока 0,9 А. Рассеиваемая мощность составляет 2 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Прибор изготовлен по технологии HEXFET®.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TSOP6, который является стандартным для SMD-монтажа.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 150 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.9 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | TSOP6 |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 420 ₴