Транзистор N-MOSFET Infineon IRF5801TRPBF, 200 В, 0,6 А, TSOP6 — набор 40 шт.
2 460 ₴
- В наличии
- Код: TM074413
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF5801TRPBF, 200 В, 0,6 А, TSOP6 — набор 40 шт.В наличии
2 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 40 транзисторов N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IRF5801TRPBF. Компоненты в корпусе TSOP6 предназначены для монтажа на поверхность платы (SMD) и работают с напряжением до 200 В.
- Напряжение сток-исток до 200 В
- Ток стока до 0,6 А
- Мощность рассеивания 2 Вт
- Корпус TSOP6 для SMD-монтажа
- Технология HEXFET®
- Набор из 40 транзисторов
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 200 В и выдерживает ток стока до 0,6 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 2 Вт. Эти характеристики определяют рабочий диапазон компонента в электрических схемах.
Корпус и монтаж
Компонент изготовлен в корпусе TSOP6 с технологией HEXFET®. Тип монтажа — SMD (поверхностный), что позволяет размещать транзисторы непосредственно на поверхность печатной платы без сверления отверстий.
Комплектация
В наборе поставляется 40 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.6 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | TSOP6 |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 460 ₴