Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF540NPBF, 100 В, 33 А, TO220AB (набор 20 шт.)

2 670 ₴

  • В наличии
  • Код: TM019096
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF540NPBF, 100 В, 33 А, TO220AB (набор 20 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF540NPBF, 100 В, 33 А, TO220AB (набор 20 шт.)В наличии
2 670 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF540NPBF — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока в электронных устройствах. Модель отличается высокой рассеиваемой мощностью 140 Вт и током стока 33 А, что делает ее надежным решением для силовых схем. Корпус TO220AB обеспечивает удобный монтаж на печатную плату.

  • Ток стока 33 А для мощных силовых схем
  • Рассеиваемая мощность 140 Вт
  • Низкое сопротивление в открытом состоянии 44 мОм
  • Корпус TO220AB для навесного монтажа (THT)
  • Технология HEXFET® от Infineon
  • Набор из 20 транзисторов

Высокая мощность и ток

Транзистор способен рассеивать мощность до 140 Вт, что позволяет использовать его в силовых блоках питания и инверторах без риска перегрева при условии надлежащего охлаждения. Максимальный ток стока составляет 33 А, что обеспечивает стабильную работу при высоких нагрузках. Эти параметры важны для устройств, где требуется коммутация значительных токов.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) равно 44 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы. Низкое сопротивление критично для повышения КПД электронных схем и снижения тепловыделения. Это особенно актуально для аккумуляторных устройств и систем с ограниченным теплоотводом.

Удобный монтаж и технология

Компонент изготовлен по технологии HEXFET®, что гарантирует стабильные характеристики и надежность. Корпус TO220AB предназначен для навесного монтажа (THT), что упрощает пайку и замену транзистора на плате. Номинальное напряжение затвор-исток ±20 В позволяет использовать стандартные драйверы затворов.

Высокое напряжение и заряд затвора

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 100 В, что позволяет использовать его в сетевых и высоковольтных схемах. Заряд затвора составляет 47,3 нКл, что определяет скорость переключения и требования к драйверу. Эти параметры важны для оптимизации энергопотребления и быстродействия силовых ключей.

Удобный монтаж и технология

Компонент изготовлен по технологии HEXFET®, что гарантирует стабильные характеристики и надежность. Корпус TO220AB предназначен для навесного монтажа (THT), что упрощает пайку и замену транзистора на плате. Номинальное напряжение затвор-исток ±20 В позволяет использовать стандартные драйверы затворов.

Транзистор Infineon IRF540NPBF подходит для инженеров и радиолюбителей, которым нужны надежные силовые ключи для ремонтных работ или прототипирования. Набор из 20 штук обеспечивает запас компонентов для серийного производства или учебных проектов.

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon Technologies
Максимальная мощность рассеивания140 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток100 В
Максимально допустимый ток стока33 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)44 mOm
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте20 шт.
КорпусTO220AB
ТехнологияHEXFET®
Информация для заказа
  • Цена: 2 670 ₴